C = ε0 · εr · A/d; E = ½·C·U²
Die Kapazität wächst mit Plattenfläche und Dielektrizitätszahl und fällt mit dem Plattenabstand.
Die Kapazität wächst mit Plattenfläche und Dielektrizitätszahl und fällt mit dem Plattenabstand.
Zielgröße auswählen und Eingaben berechnen.
Die Kapazität wächst mit Plattenfläche und Dielektrizitätszahl und fällt mit dem Plattenabstand.
100 cm² Plattenfläche, 1 mm Abstand und Luft (εr = 1) ergeben C ≈ 88,5 pF; bei 100 V sind das rund 8,85 nC Ladung (Q = C·U) und 0,443 µJ gespeicherte Energie.
Homogenes Feld zwischen unendlich ausgedehnten, parallelen Platten ohne Randeffekte; verlustfreies Dielektrikum.
Der Rechner bestimmt die Kapazität eines Plattenkondensators aus Plattenfläche, Plattenabstand und Dielektrikum sowie die bei einer anliegenden Spannung gespeicherte Ladung und Energie.
Ein Kondensator speichert bei anliegender Spannung U eine Ladung Q = C·U. Für einen idealisierten Plattenkondensator mit paralleler Plattenfläche A und Plattenabstand d ergibt sich die Kapazität aus C = ε0·εr·A/d, wobei ε0 die elektrische Feldkonstante des Vakuums und εr die relative Dielektrizitätszahl des Materials zwischen den Platten ist.
Man kann sich den Plattenkondensator wie ein flaches, elastisches Wasserreservoir vorstellen: Eine größere Fläche fasst bei gleichem Druck (Spannung) mehr Wasser (Ladung), ein größerer Abstand zwischen den Platten senkt dagegen die Kapazität, ähnlich wie ein dünneres, elastischeres Reservoir bei gleichem Druck weniger Volumen speichert. Das Dielektrikum zwischen den Platten erhöht die Kapazität zusätzlich, ähnlich wie ein Material, das dem elektrischen Feld leichter nachgibt.
C = ε0 · εr · A/d; E = ½·C·U²
C = ε0·εr·A/dQ = C·UE = ½·C·U²| Symbol / Eingabe | Bedeutung |
|---|---|
| Kapazität C | Kapazität des idealisierten Plattenkondensators. |
| Plattenfläche A | Überlappende Fläche der beiden Elektroden. |
| Plattenabstand d | Abstand zwischen den Elektroden, ausgefüllt vom Dielektrikum. |
| Relative Dielektrizitätszahl εr | Materialwert des Dielektrikums; Luft/Vakuum = 1, viele Kunststoffe 2–4, Keramik teils deutlich höher. |
| Anliegende Spannung U | Spannung zwischen den Platten, sofern der Kondensator geladen wird. |
| Gespeicherte Energie E | Im elektrischen Feld gespeicherte Energie bei anliegender Spannung U. |
Plattenfläche A, Plattenabstand d und relative Dielektrizitätszahl εr bestimmen die Kapazität; wird zusätzlich eine Spannung U angegeben, berechnet der Rechner gespeicherte Ladung und Energie. εr = 1 entspricht Luft beziehungsweise Vakuum; für feste Dielektrika wie Keramik oder Kunststofffolie sind aktuelle Herstellerangaben zu verwenden, da εr stark materialabhängig ist.
Wähle die gesuchte Größe. Für die Kapazität gibst du A, d und εr ein; für die gespeicherte Energie zusätzlich die Spannung U. Um umgekehrt den für eine Zielkapazität nötigen Plattenabstand oder die nötige Fläche zu bestimmen, wähle diese Größe als Ziel.
100 cm² Plattenfläche, 1 mm Abstand und Luft als Dielektrikum (εr = 1) ergeben C = 8,854·10⁻¹² · 1 · 0,01 m² / 0,001 m ≈ 88,5 pF. Bei 100 V Spannung sind das Q = C·U ≈ 8,85 nC Ladung und E = ½·C·U² ≈ 0,443 µJ gespeicherte Energie.
Eine Kapazität von 88,5 pF ist typisch für kleine diskrete Luft- oder Trimmerkondensatoren; für praxisübliche Filter- oder Pufferkondensatoren im Nano- bis Mikrofarad-Bereich sind entweder sehr viel größere Flächen, deutlich kleinere Plattenabstände oder – meist wirtschaftlicher – Dielektrika mit hoher Dielektrizitätszahl wie Keramik erforderlich.
Plattenfläche wird häufig in cm² angegeben, Plattenabstand in mm, und die resultierende Kapazität liegt bei typischen Laborabmessungen im Pikofarad- bis Nanofarad-Bereich; gespeicherte Energie wird meist in µJ oder mJ angegeben.
Die Formel C = ε0·εr·A/d setzt voraus, dass das elektrische Feld ausschließlich im Bereich zwischen den Platten homogen verläuft, so als wären die Platten unendlich groß. An den realen, endlichen Plattenrändern wölbt sich das Feld jedoch nach außen (Fringing), was die tatsächliche Kapazität gegenüber der reinen Formel etwas erhöht. Dieser Effekt ist umso größer, je größer der Plattenabstand im Verhältnis zu den Plattenabmessungen ist, und wird in der Praxis meist vernachlässigt, wenn der Abstand klein gegenüber der Plattenfläche bleibt.
Die Beziehung erklärt die Funktionsweise von Trimmer- und Drehkondensatoren, kapazitiven Sensoren, die eine Änderung von d oder A in eine Kapazitätsänderung übersetzen (etwa Abstands- oder Drucksensoren), sowie die grundlegende Auslegung von Leiterplatten-Kondensatorstrukturen.
Das Modell nimmt ein homogenes, auf den Bereich zwischen den Platten begrenztes elektrisches Feld bei unendlich ausgedehnten, exakt parallelen Platten an. Reale Kondensatoren mit endlicher Plattenfläche zeigen zusätzliche Streufeldeffekte (Fringing) an den Rändern, die die tatsächliche Kapazität gegenüber diesem Modell leicht erhöhen, besonders wenn der Plattenabstand nicht klein gegenüber den Plattenabmessungen ist. Verlustwinkel, Temperatureinfluss auf εr und parasitäre Kapazitäten benachbarter Leiterbahnen sind nicht enthalten.
Typischer Fehler: Ein häufiger Fehler ist, bei einer manuellen Berechnung von Hand die Einheiten nicht konsequent in SI umzurechnen – für die Formel müssen A in m² und d in m vorliegen (der Rechner übernimmt diese Umrechnung automatisch). Ebenso wird häufig übersehen, dass εr real frequenz- und temperaturabhängig ist und Katalogwerte meist nur für einen bestimmten Frequenzbereich gelten.
Sie beschreibt, wie viel elektrische Ladung ein Bauteil pro Volt anliegender Spannung speichern kann; ein Farad ist eine sehr große Einheit, praktische Kondensatoren liegen meist im Pikofarad- bis Millifarad-Bereich.
Weil eine größere Fläche bei gleichem elektrischen Feld mehr Ladung aufnehmen kann – ähnlich wie ein größeres Wasserreservoir bei gleichem Druck mehr Wasser fasst.
Ein Dielektrikum mit εr größer als 1 polarisiert sich im elektrischen Feld und schwächt dadurch das effektive Feld bei gleicher Ladung ab, wodurch bei gleicher Spannung mehr Ladung gespeichert werden kann – die Kapazität steigt proportional zu εr.
Die Ladung Q = C·U wächst linear mit der Spannung, die gespeicherte Energie E = ½·C·U² dagegen quadratisch – eine Verdopplung der Spannung vervierfacht die gespeicherte Energie bei gleicher Kapazität.
Näherungsweise ja für kleine Plattenabstände im Verhältnis zur Fläche; reale Bauteile zeigen zusätzlich Randfeldeffekte, Verluste durch den Verlustwinkel und eine Temperatur- und Frequenzabhängigkeit von εr, die hier nicht erfasst sind.