Pinst = VF · IF; Pavg = Pinst · D
Solange die Diode leitet, ergibt sich die Verlustleistung aus Durchlassspannung mal Durchlassstrom; über eine periodische Schaltung gemittelt skaliert sie zusätzlich mit der Einschaltdauer.
Solange die Diode leitet, ergibt sich die Verlustleistung aus Durchlassspannung mal Durchlassstrom; über eine periodische Schaltung gemittelt skaliert sie zusätzlich mit der Einschaltdauer.
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Solange die Diode leitet, ergibt sich die Verlustleistung aus Durchlassspannung mal Durchlassstrom; über eine periodische Schaltung gemittelt skaliert sie zusätzlich mit der Einschaltdauer.
VF = 0,7 V und IF = 5 A ergeben eine momentane Verlustleistung von 3,5 W; bei 50 % Einschaltdauer folgt eine mittlere Verlustleistung von 1,75 W.
Konstante Durchlassspannung während der Leitphase; Sperrverzögerung, Schalt- und dynamische Verluste sind ausgeschlossen.
Der Rechner bestimmt die momentane und die über eine Schaltperiode gemittelte Durchlassverlustleistung einer Diode aus Durchlassspannung, Durchlassstrom und Einschaltdauer nach einem vereinfachten, konstanten Modell.
Solange eine Diode in Durchlassrichtung leitet, fällt über ihr die Durchlassspannung VF ab, während der Strom IF hindurchfließt; die dabei momentan in Wärme umgesetzte Leistung ist Pinst = VF·IF. Leitet die Diode nur einen Teil einer periodischen Schaltperiode – die Einschaltdauer beziehungsweise der Duty Cycle D –, ergibt sich unter der vereinfachenden Annahme konstanter VF und IF während der Leitphase die über die Periode gemittelte Verlustleistung aus Pavg = Pinst·D.
Man kann sich das wie einen Wasserhahn vorstellen, der nur einen Teil der Zeit geöffnet ist: Die momentane Durchflussleistung ist bei geöffnetem Hahn konstant, aber die über eine längere Zeit gemittelte Leistung sinkt proportional zum Anteil der Zeit, in der der Hahn tatsächlich offen war.
Pinst = VF · IF; Pavg = Pinst · D
Pinst = VF · IFPavg = Pinst · DD = Pavg / Pinst| Symbol / Eingabe | Bedeutung |
|---|---|
| Momentane Verlustleistung Pinst | Verlustleistung während der Leitphase der Diode. |
| Mittlere Verlustleistung Pavg | Über eine Schaltperiode gemittelte Verlustleistung. |
| Durchlassspannung VF | Spannungsabfall über der leitenden Diode; Silizium ≈ 0,6–1,0 V, Schottky ≈ 0,2–0,4 V. |
| Durchlassstrom IF | Strom durch die Diode während der Leitphase. |
| Einschaltdauer D | Anteil der Schaltperiode, in dem die Diode tatsächlich leitet; 1 entspricht Dauerleitung. |
Durchlassspannung VF und Durchlassstrom IF bestimmen die momentane Verlustleistung; die zusätzliche Einschaltdauer D zwischen 0 und 1 liefert die gemittelte Verlustleistung. VF ist last- und temperaturabhängig und sollte für den tatsächlichen Arbeitspunkt (IF und Sperrschichttemperatur) aus der Durchlasskennlinie im Datenblatt entnommen werden, nicht pauschal als Konstante über den gesamten Stromsollbereich angenommen werden.
Wähle die gesuchte Größe. Für die momentane Verlustleistung gibst du VF und IF ein; für die gemittelte Verlustleistung zusätzlich die Einschaltdauer D. Für eine Gesamtverlustabschätzung mehrerer gleichartiger, gleichzeitig leitender Dioden multipliziere Pavg anschließend mit der Anzahl der Dioden.
VF = 0,7 V und IF = 5 A ergeben eine momentane Verlustleistung von Pinst = 3,5 W. Leitet die Diode nur 50 % einer Schaltperiode – etwa als Freilaufdiode in einem Abwärtswandler bei 50 % Tastverhältnis –, folgt eine gemittelte Verlustleistung von Pavg = 3,5 W · 0,5 = 1,75 W.
Eine gemittelte Verlustleistung von 1,75 W muss über das Diodengehäuse und einen eventuellen Kühlkörper an die Umgebung abgeführt werden; mit dem thermischen Widerstand RthJA lässt sich daraus über den verlinkten Sperrschichttemperatur-Rechner die resultierende Sperrschichttemperatur abschätzen.
Durchlassspannung wird in V angegeben, Durchlassstrom in A, Verlustleistung in W und die Einschaltdauer D dimensionslos zwischen 0 und 1 beziehungsweise als Prozentwert.
Die Gesamtverlustleistung einer Diode in einer schaltenden Anwendung setzt sich aus Durchlassverlusten (dieser Rechner) und Schaltverlusten zusammen. Durchlassverluste entstehen, solange die Diode leitet, und skalieren mit VF·IF·D. Schaltverluste entstehen beim Übergang zwischen Sperr- und Durchlasszustand, insbesondere durch die Sperrverzugsladung (Reverse Recovery), die beim schnellen Abschalten kurzzeitig einen Rückstrom verursacht. Bei niedrigen Schaltfrequenzen dominieren meist die Durchlassverluste, bei hohen Schaltfrequenzen im Bereich mehrerer hundert kHz oder MHz können die Schaltverluste überwiegen; deshalb werden dort bevorzugt Schottky-Dioden mit vernachlässigbarer Sperrverzugsladung eingesetzt.
Die Beziehung wird zur Verlustleistungsabschätzung von Gleichrichter-, Freilauf- und Schutzdioden in Netzteilen und Schaltreglern, zur Vorauswahl von Diodengehäuse und Kühlkörper sowie zum groben Wirkungsgradvergleich zwischen Silizium- und Schottky-Dioden verwendet, da Schottky-Dioden wegen niedrigerer VF geringere Durchlassverluste haben.
Das Modell erfasst ausschließlich die Durchlassverluste bei angenommener konstanter Durchlassspannung und vernachlässigt die reale, mit Strom und Temperatur nichtlineare VF(IF,Tj)-Kennlinie. Sperrverzugsverluste beim Abschalten (Reverse Recovery), dynamische Schaltverluste beim Ein- und Ausschalten sowie Sperrstromverluste in Sperrrichtung sind nicht enthalten und müssen bei schnell schaltenden Anwendungen zusätzlich berücksichtigt werden.
Typischer Fehler: Ein häufiger Fehler ist, bei schnell schaltenden Anwendungen wie Schaltnetzteilen im hohen kHz-Bereich nur die Durchlassverluste zu betrachten, obwohl dort Schalt- und Sperrverzugsverluste einen erheblichen, teils dominierenden Anteil der Gesamtverluste ausmachen können. Ebenso wird VF manchmal als fester Wert unabhängig vom tatsächlichen Betriebsstrom verwendet, obwohl VF mit steigendem IF spürbar zunimmt.
Sie ist der Spannungsabfall über der Diode, während Strom in Durchlassrichtung fließt; sie liegt bei Siliziumdioden typisch bei 0,6–1,0 V und bei Schottky-Dioden bei 0,2–0,4 V.
Weil die Diode während der Leitphase einen Spannungsabfall bei fließendem Strom aufweist; das Produkt aus Spannung und Strom ist Leistung, die als Wärme im Halbleiterkristall und im Gehäuse anfällt.
Schottky-Dioden haben eine niedrigere Durchlassspannung als Siliziumdioden und dadurch geringere Durchlassverluste bei gleichem Strom; sie haben zudem eine vernachlässigbare Sperrverzugsladung, wodurch sie auch bei hohen Schaltfrequenzen geringe Schaltverluste verursachen.
VF steigt mit steigendem IF, zunächst näherungsweise logarithmisch und bei hohen Strömen zunehmend linear durch den ohmschen Bahnwiderstand der Diode; ein fester VF-Wert ist daher nur für einen bestimmten Arbeitspunkt genau.
Nutze die hier berechnete gemittelte Verlustleistung Pavg als Eingabe P für den Sperrschichttemperatur-Rechner, zusammen mit Umgebungstemperatur und dem thermischen Widerstand RthJA der Diode, um die resultierende Sperrschichttemperatur abzuschätzen.